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臺(tái)積電3nm工藝進(jìn)度比預(yù)期慢,一方面是量產(chǎn)難度的問(wèn)題,不過(guò)另一方面也可能跟代工價(jià)格實(shí)在太貴有關(guān)。
有業(yè)內(nèi)人士泄露了臺(tái)積電3nm工藝的代價(jià)報(bào)價(jià),由于EUV光罩層數(shù)高達(dá)26層,3nm工藝12英寸晶圓的報(bào)價(jià)高達(dá)3萬(wàn)美元,相比5nm工藝的16900美元幾乎翻倍,是7nm工藝報(bào)價(jià)9346美元的3倍多。
此前7nm、5nm工藝下單顆芯片成本在233、288美元,3萬(wàn)美元的代工價(jià)格將大幅提高芯片成本,即便3nm工藝的晶體管密度提升了70%,面積可減少42%,這樣算下來(lái)依然輕松達(dá)到300-400美元之間。
總之,3nm工藝就是一個(gè)字——貴,貴到首批用戶可能只有蘋果及Intel才能承受,畢竟他們的產(chǎn)品能賣出高價(jià),對(duì)沖芯片代工的高成本。
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