三星電子周四宣布，將在本季度 (即未來幾周內(nèi)) 開始使用 3GAE (早期 3nm 級柵極全能) 工藝進行大規(guī)模生產(chǎn)。這不僅標志著業(yè)界首創(chuàng) 3nm 級制造技術，也是首個使用環(huán)柵場效應晶體管 (GAAFETs) 的節(jié)點。

　　“這是世界上首次大規(guī)模生產(chǎn)的 GAA 3 納米工藝，將以此提高技術領先地位，”三星在一份報告中寫道。

　　三星 Foundry 的 3GAE 工藝技術是首次使用 GAA 晶體管 (三星將其稱為“多橋溝道場效應晶體管 (MBCFET)”) 工藝。

　　IT之家了解到，三星大約在三年前正式推出了其 3GAE 和 3GAP 工藝節(jié)點。當該公司描述 使用其 3GAE 技術生產(chǎn)的 256Mb GAAFET SRAM 芯片時，它拿出了許多數(shù)據(jù)。

　　三星表示，該工藝將實現(xiàn) 30% 的性能提升、50% 的功耗降低以及高達 80% 的晶體管密度(包括邏輯和 SRAM 晶體管的混合)。不過，三星的性能和功耗的實際組合將如何發(fā)揮作用還有待觀察。

　　理論上，與目前使用的 Finfet 相比，Gaafet 有許多優(yōu)勢，例如可大大降低晶體管漏電流 (即，降低功耗) 以及挖掘晶體管性能的潛在實力，這意味著更高的產(chǎn)率、和改進的產(chǎn)能。此外，根據(jù)應用材料公司最近的報告，GAAFETs 還可以減少 20% 至 30% 的面積。

　　當然，三星的 3GAE 只是一種“早期”的 3nm 級制造技術，3GAE 將主要由三星 LSI(三星的芯片開發(fā)部門)以及可能一兩個 SF 的其他 alpha 客戶使用。如果這些產(chǎn)品的產(chǎn)量和性能符合預期，那么不久之后我們就可以看到新品大量出貨了。
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