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臺積電研發(fā)高級副總裁米玉杰在硅谷舉行的技術(shù)研討會上表示,“展望未來,臺積電將在 2024 年引入高數(shù)值孔徑的極紫外光刻機,為的是開發(fā)客戶所需相關(guān)基礎(chǔ)設(shè)施和模式解決方案,進一步推動創(chuàng)新。”
米玉杰并未透露新一代光刻機引入后何時用于大規(guī)模生產(chǎn)芯片。阿斯麥推出的第二代極紫外線光刻機能用于制造尺寸更小、處理速度更快的芯片。臺積電競爭對手英特爾公司此前表示,將在 2025 年之前開始使用新一代光刻機生產(chǎn)芯片,并表示自己將是第一個收到最新款光刻機的公司。
隨著英特爾打入芯片代工市場,將開始與臺積電爭奪客戶。業(yè)界正密切關(guān)注哪家公司會在開發(fā)下一代芯片技術(shù)上擁有更多優(yōu)勢。
臺積電業(yè)務(wù)發(fā)展高級副總裁 Kevin Zhang 后來澄清說,臺積電在 2024 年不會用新一代光刻機生產(chǎn)芯片,其主要用于與合作伙伴共同開展研究。
參加此次研討會的芯片經(jīng)濟學(xué)家丹·哈奇森(Dan Hutcheson)表示:“臺積電在 2024 年引入新一代光刻機的重要性意味著,他們可以更快獲得最先進的技術(shù)。”“極紫外光刻技術(shù)對于芯片企業(yè)能否處于業(yè)內(nèi)領(lǐng)先地位已經(jīng)變得非常關(guān)鍵……高數(shù)值孔徑極紫外光刻技術(shù)是該領(lǐng)域的下一個重大創(chuàng)新,將使芯片技術(shù)處于領(lǐng)先水平。”
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