據(jù)外媒報(bào)道，芯片代工商臺(tái)積電已經(jīng)開(kāi)始為試產(chǎn) 2nm 工藝做準(zhǔn)備。

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　　2nm 工藝是臺(tái)積電的一個(gè)重大節(jié)點(diǎn)，將采用納米片晶體管(Nanosheet)取代鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)，這意味著該公司工藝正式進(jìn)入 GAA 晶體管時(shí)代。

　　與 3nm 芯片相比，在相同功耗下，2nm 芯片的速度快 10%-15%;在相同速度下，功耗降低 25%-30%。

　　此前，該公司宣布，計(jì)劃到 2025 年大規(guī)模生產(chǎn) 2nm 芯片。今年 4 月份，供應(yīng)鏈消息稱(chēng)，該公司的 2nm 工藝將在 2025 年下半年在新竹市寶山鄉(xiāng)進(jìn)入量產(chǎn)。

　　消息來(lái)源也稱(chēng)，今年，一條小規(guī)模試產(chǎn)線的目標(biāo)是生產(chǎn) 1000 片晶圓，2024 年將進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，2025 年將進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。

　　消息人士表示，臺(tái)積電已派遣工程師和支持人員前往竹科寶山研發(fā)工廠，為 2nm 工藝試產(chǎn)做準(zhǔn)備。該公司計(jì)劃組建一支由 1000 多名專(zhuān)家組成的專(zhuān)門(mén)研發(fā)團(tuán)隊(duì)，率先在竹科寶山晶圓 20 廠進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。

　　在 2nm 工藝實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)后，蘋(píng)果和英偉達(dá)預(yù)計(jì)將成為首批客戶，給三星等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手帶來(lái)巨大壓力。

　　臺(tái)積電的 2nm 計(jì)劃可能使其與三星展開(kāi)正面競(jìng)爭(zhēng)。據(jù)悉，三星擊敗了臺(tái)積電，成為第一家廣泛采用 3nm 工藝的芯片制造商。去年，該公司也宣布，預(yù)計(jì)到 2025 年量產(chǎn) 2nm 芯片。
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