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在日本政府以及各大財(cái)團(tuán)的支持下,Rapidus 已啟動(dòng)日本唯一一家制造先進(jìn)硅工藝的半導(dǎo)體工廠,計(jì)劃在 2025 年啟動(dòng) 2nm 試生產(chǎn)并在 2027 年量產(chǎn),和行業(yè)巨頭臺(tái)積電相比僅落后 2 年時(shí)間。
Rapidus 首席執(zhí)行官小池淳義在接受《日經(jīng)新聞》采訪時(shí)表示,正在就向美國(guó)一些最大的科技公司供應(yīng)半導(dǎo)體進(jìn)行談判。“我們正在尋找一個(gè)美國(guó)的合作伙伴,我們已經(jīng)開(kāi)始與一些 GAFAM 公司洽談。具體來(lái)說(shuō),有來(lái)自數(shù)據(jù)中心的需求。”他說(shuō)。
圖片來(lái)自網(wǎng)絡(luò)/侵刪
Rapidus 成立于 2022 年 8 月,由豐田、索尼、NTT、NEC、軟銀、電裝 Denso、鎧俠、三菱日聯(lián)銀行等 8 家日企共同出資設(shè)立,出資額為 73 億日元,另外日本政府也提供了 700 億日元補(bǔ)助金作為研發(fā)預(yù)算。
日本半導(dǎo)體企業(yè) Rapidus 總裁小池淳義此前表示:計(jì)劃最早到 2025 年上半年建成一條 2nm 原型線,技術(shù)確立就需要 2 萬(wàn)億日元,而籌備量產(chǎn)線還需要 3 萬(wàn)億日元。
這條 2nm 半導(dǎo)體試產(chǎn)線第一個(gè)原型將在 2025 年完成建造,然后在 2027 年開(kāi)始大規(guī)模量產(chǎn),以盡快追上臺(tái)積電等世界級(jí)半導(dǎo)體廠商的步伐,而后者計(jì)劃將于 2025 年量產(chǎn) 2nm 制程工藝。
值得一提的是,2nm 量產(chǎn)所需要的技術(shù)難度相比現(xiàn)有技術(shù)大大提高。雖然臺(tái)積電在日本熊本縣設(shè)有工廠,但這家預(yù)定 2024 年開(kāi)始量產(chǎn)的半導(dǎo)體工廠也也只能生產(chǎn) 12~28 納米產(chǎn)品。
此外,Rapidus 于 2022 年底與美國(guó) IBM 簽署了技術(shù)授權(quán)協(xié)議,IBM 已于 2021 年成功試制出 2 納米產(chǎn)品。Rapidus 將于近期向美國(guó)派遣員工,以熟練掌握所需要的基礎(chǔ)技術(shù)。
小池淳義此前表示 Rapidus 專家團(tuán)隊(duì)現(xiàn)在大約 100 人,第一批已經(jīng)在紐約州的 IBM 完成了相關(guān)培訓(xùn)。IBM 是 Rapidus 的主要技術(shù)捐助者,曾于 2021 年展示了采用 2nm 技術(shù)制造的存儲(chǔ)原型。
Rapidus 計(jì)劃基于 IBM 2nm 工藝技術(shù)開(kāi)發(fā)“Rapidus 版”制造技術(shù),2025 年開(kāi)始邏輯半導(dǎo)體試產(chǎn),2027 年量產(chǎn)。Rapidus 版本的生產(chǎn)技術(shù)主要集中在兩個(gè)主要領(lǐng)域:
預(yù)計(jì)需求將增長(zhǎng)的“高性能計(jì)算(HPC)”芯片
預(yù)測(cè)智能手機(jī)未來(lái)的“Ultra Low Power(超低功耗)” 芯片
小池淳義在采訪中表示,Rapidus 將獨(dú)立測(cè)試和封裝其制造的半導(dǎo)體元件,這不僅會(huì)縮短生產(chǎn)周期的長(zhǎng)度,而且可以增加利潤(rùn)。
Rapidus 希望對(duì)每個(gè)硅晶圓的加工實(shí)施快速反饋,這將大大加快識(shí)別缺陷和問(wèn)題的過(guò)程,并最終加快成品的上市時(shí)間。
據(jù)稱,Rapidus 不會(huì)與臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng),而是更愿意繼續(xù)成為專注于服務(wù)器領(lǐng)域、汽車行業(yè)、通信網(wǎng)絡(luò),量子計(jì)算和智能城市方面的利基制造商。
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