據(jù)意法半導體官微消息，該公司與理想汽車簽署了一項碳化硅(SiC)長期供貨協(xié)議。按照協(xié)議，意法半導體將為理想汽車提供碳化硅 MOSFET，支持理想汽車進軍高壓純電動車市場的戰(zhàn)略部署。

　　據(jù)介紹，意法半導體的碳化硅具有更高的開關頻率、擊穿電壓和熱阻，可以顯著提高功率晶體管的性能和能效，這些特性在純電車的高電壓環(huán)境中非常重要。理想汽車即將推出的 800V 高壓純電平臺將在電驅逆變器中采用意法半導體的第三代 1200V SiC MOSFET 技術。

　　理想汽車供應鏈副總裁孟慶鵬表示：

　　理想汽車致力于為家庭用戶提供超預期的豪華電動車。本次與 ST 的 SiC 供貨協(xié)議簽署印證了理想汽車開發(fā)純電動車產(chǎn)品的堅定決策。我們看好與全球碳化硅技術龍頭 ST 的未來合作，這必將是一段創(chuàng)新和成功的合作關系。

　　意法半導體執(zhí)行副總裁、中國區(qū)總裁曹志平表示：

　　意法半導體是全球功率半導體和寬禁帶技術的龍頭企業(yè)，也是多家知名汽車制造商和一級供應商的長期供貨商。我們與理想汽車簽署的碳化硅供應協(xié)議標志著雙方在其他汽車應用的長期合作基礎上，又邁出了重要一步。ST 承諾支持理想汽車成為中國高端新能源汽車龍頭品牌，通過我們 SiC 創(chuàng)新技術為用戶提供卓越的汽車性能和續(xù)航里程。

　　在今年 6 月舉行的理想汽車召開理想家庭科技日發(fā)布會上，理想汽車發(fā)布了 800V 高壓平臺 5C 電池，充電峰值功率超過 500kw，9 分 30 秒續(xù)航 400 公里，充電 22 分鐘續(xù)航 600 公里;5C 快充采用低內阻電芯，產(chǎn)熱降低 30%。

　　理想汽車還宣布，2023 年底前完成建設 300 + 個超級充電站，2025 年完成建設 3000 + 個超充站。2025 年，超充站點之間平均間隔 100 公里，單個站點每小時可以服務 9-20 輛車。