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瞄準(zhǔn)蘋果下代 XR 設(shè)備訂單,消息稱三星正積極開發(fā) LLW DRAM 內(nèi)存

發(fā)布時(shí)間:2024-07-19 09:25:28來源:IT之家

  IT之家 7 月 18 日消息,韓媒 ZDNet Korea 報(bào)道稱,三星電子正積極開發(fā) LLW DRAM 內(nèi)存,為蘋果 Vision Pro 后的下一代頭顯訂單做好準(zhǔn)備。

  LLW DRAM 全稱 Low Latency Wide I/O DRAM,是一種高性能特殊內(nèi)存,擁有數(shù)量眾多的 I/O 引腳,具備高帶寬低延遲低功耗的優(yōu)勢。

  三星電子宣稱,其 LLW DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品可實(shí)現(xiàn) 128GB/s 的帶寬,同時(shí)能耗僅有 1.2pJ/bit。

  

 

  ▲ 三星半導(dǎo)體展示的 LLW DRAM 內(nèi)存結(jié)構(gòu)概念

  據(jù)IT之家此前報(bào)道,與蘋果 Vision Pro 頭顯上 R1 芯片配套的 LLW DRAM 內(nèi)存由 SK 海力士獨(dú)家供應(yīng),可提供 256GB/s 帶寬。

  該內(nèi)存單顆容量為 1GB,I/O 引腳數(shù)量是傳統(tǒng)內(nèi)存的八倍。如果以目前 LPDDR5 內(nèi)存的 64bit 作為基礎(chǔ),那 SK 海力士提供的 LLW DRAM 內(nèi)存位寬可達(dá) 512bit。

  ▲ SK 海力士 LLW DRAM 內(nèi)存結(jié)構(gòu)。圖源 Yole

  韓媒報(bào)道提到,蘋果曾于 2022 年同三星電子就 LLW DRAM 供應(yīng)進(jìn)行過洽談,但最終 SK 海力士得到了這份訂單。

  三星電子正積極開發(fā) LLW DRAM 內(nèi)存技術(shù),目前正處于小規(guī)模生產(chǎn)階段,目標(biāo)未來從 SK 海力士的手中奪取這一細(xì)分領(lǐng)域的市場份額。

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