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IT之家 7 月 23 日消息，臺媒《工商時報》今日報道稱，JEDEC 目前正在積極推進 DDR6 內(nèi)存規(guī)范的準備工作，三大 DRAM 內(nèi)存原廠已完成 DDR6 原型芯片設(shè)計，新一代的 DDR 內(nèi)存有望在 2026 年的平臺測試與驗證后在 2027 年進入大規(guī)模導入期。
IT之家獲悉，與已經(jīng)公布的 LPDDR6 規(guī)范類似，DDR6 的單通道位寬也將提升 50% 來到 96bit，同時子通道劃分也從 DDR5 時期的 2× 32bit 細化到 4× 24bit;原生頻率方面起步 8800MT/s，最高有望來到 17600MT/s。
DDR6 與 LPDDR6 的位寬同比變化，有利于筆記本電腦 SoC 等雙內(nèi)存規(guī)范平臺簡化設(shè)計。
而在模組外形規(guī)格方面，為應(yīng)對 DDR6 對信號完整性、I/O 設(shè)計的更高要求，新興的 CAMM 系預計將成為主流解決方案，取代歷史悠久的傳統(tǒng) DIMM。
